欢迎访问纳米防水网官方网站!

防水百科
News

等离子体加强化学气相沉积pecvd百科知识

WaterOff
2022-08-08 12:27:56

PECVD

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等离子体加强化学气相沉积法。

PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,行使了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体加强化学气相沉积(PECVD).

概念

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等离子体加强化学气相沉积法

PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,行使了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体加强化学气相沉积(PECVD).

实验机理

是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。

好处

基本温度低;沉积速率快;成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。

瑕玷

1.设备投资大、成本高,对气体的纯度要求高;

2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害;

3.对小孔孔径内外观难以涂层等。

4.沉积之后产生的尾气不易处理。

例子:在PECVD工艺中因为等离子体中高速活动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状况容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到优秀的SiOx或SiNx薄膜,可以作为集成电路最后的钝化珍爱层,进步集成电路的可靠性。

例子

在PECVD工艺中因为等离子体中高速活动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状况容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到优秀的SiOx或SiNx薄膜,可以作为集成电路最后的钝化珍爱层,进步集成电路的可靠性。

几种PECVD装配

图(a)是一种最简单的电感耦合产生等离子体的PECVD装配,可以在实验室中使用。

图b)它是一种平行板结构装配。衬底放在具有温控装配的下面平板上,压强通常保持在133Pa左右,射频电压加在上下平行板之间,于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电,并产生等离子体。

图(c)是一种扩散炉内放置若干平行板、由电容式放电产生等离子体的PECVD装配。它的设计重要为了配合工厂生产的必要,增长炉产量。

CVD应用:

在半导体工业中的应用随着半导体工业的发展,薄膜材料在半导体工业中也有着广泛的用途,如可以用作栅电极、多层布线的层间绝缘膜、金属布线、电阻以及散热材料等。采用超高真空(UHV) / 紫外光( HV) 能 量辅助化学气相沉积工艺生长的SiGe/ Si 材料以其超高速、低成本的上风,向传统的Si和GaAs 技术形成强烈的挑衅。行使UHV/UV/ CVD 工艺可在低温下得到SiGe 材料,避免了传统工艺因高温而造成的晶片翘曲、损坏金属布线等曲线,生成的SiGe 单晶薄膜外观平坦光滑,断面均匀。在超大规模集成电路制作中,化学气相沉积还可以用来沉积多晶硅膜、钨膜、铝膜、金属硅化物、氧化硅膜以及氮化硅膜等。

 

更多纳米防水资讯请关注纳米防水微信号: nanowp

返回列表